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压应力对非晶态Ni-Si-B合金的电子输运过程的影响
引用本文:程先安 ,傅明功 ,陈秉玉.压应力对非晶态Ni-Si-B合金的电子输运过程的影响[J].北京航空航天大学学报,1985(4).
作者姓名:程先安  傅明功  陈秉玉
摘    要:本文报导了Ni-Si-B非晶态合金薄带在压力作用下的电阻蠕变现象,发现电阻的蠕变现象和压力作用下应变的蠕变现象十分相似,也可以分为可逆的和不可逆的两部分,可逆部分又含有瞬时可逆和滞后可逆两种成分。文章对非晶态合金的不可逆塑性流变用位形熵的理论加以定性解释。

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