| 高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究 |
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| 引用本文： | 李晓亮, 梅博, 李鹏伟, 等. 高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究[J]. 航天器环境工程, 2019, 36(6): 1-5doi:10.12126/see.2019.06.009 |
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| 作者姓名： | 李晓亮 梅博 李鹏伟 孙毅 吕贺 莫日根 于庆奎 张洪伟 |
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| 作者单位： | 中国航天宇航元器件工程中心,北京 100094 |
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| 基金项目： | 装备发展部信息系统局XX电子元器件XX项目 |
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| 摘 要： | 深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125 ℃的增幅约为1个数量级：即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。
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| 关 键 词： | SRAM器件 重离子辐照 单粒子锁定 高温环境 工作电压 试验研究 |
| 收稿时间： | 2019-08-09 |
| 修稿时间： | 2019-12-05 |
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