| 国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 |
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| 引用本文： | 李鹏伟,吕贺,张洪伟,孙明,刘凡,孙静.国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法[J].航天器环境工程,2019,36(2). |
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| 作者姓名： | 李鹏伟 吕贺 张洪伟 孙明 刘凡 孙静 |
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| 作者单位： | 中国航天宇航元器件工程中心;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京 100029;哈尔滨工业大学 材料学院,哈尔滨 150006;中国航天宇航元器件工程中心;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京 100029;中国航天宇航元器件工程中心;中国电子科技集团公司第 24 研究所,重庆,400060;中国科学院 新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。
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| 关 键 词： | 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力 |
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