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| 一种新型亚阈值SRAM单元设计 | |
| 引用本文： | 孔得斌,乔树山,袁甲.一种新型亚阈值SRAM单元设计[J].航空科学技术,2020,31(2):60-65. |
| 作者姓名： | 孔得斌 乔树山 袁甲 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京100029,中国科学院微电子研究所,北京100029,中国科学院微电子研究所,北京100029 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 低功耗 SRAM 新单元 位交织 位线漏电补偿 多阈值 |
A New Type of Subthreshold SRAM Bitcell Design |
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| Kong Debin,Qiao Shushan,Yuan Jia.A New Type of Subthreshold SRAM Bitcell Design[J].Aeronautical Science and Technology,2020,31(2):60-65. | |
| Authors: | Kong Debin Qiao Shushan Yuan Jia |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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