| 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究 |
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| 引用本文： | 王成成,周龙达,蒲石,王芳,杨红,曾传滨,韩郑生,罗家俊,卜建辉.部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究[J].航空科学技术,2020,31(1):76-80. |
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| 作者姓名： | 王成成 周龙达 蒲石 王芳 杨红 曾传滨 韩郑生 罗家俊 卜建辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049,航空工业西安航空计算技术研究所,陕西 西安 710065,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029,中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 负偏压温度不稳定性 PDSOI 快速测试方法 阈值电压 寿命预测 可靠性 |
Study on NBTI Effect of PDSOI MOSFET |
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| Wang Chengcheng,Zhou Longda,Pu Shi,Wang Fang,Yang Hong,Zeng Chuanbin,Han Zhengsheng,Luo Jiajun,Bu Jianhui.Study on NBTI Effect of PDSOI MOSFET[J].Aeronautical Science and Technology,2020,31(1):76-80. |
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| Authors: | Wang Chengcheng Zhou Longda Pu Shi Wang Fang Yang Hong Zeng Chuanbin Han Zhengsheng Luo Jiajun Bu Jianhui |
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