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监测功率晶体管的V_(BE)实现过流保护的研究
引用本文:朱普安.监测功率晶体管的V_(BE)实现过流保护的研究[J].中国民航学院学报,1991(2).
作者姓名:朱普安
作者单位:中国民航学院航空机械电气系
摘    要:监测 V_(BE)参数作为功率晶体管过流保护的取样信号是一种新方法。本文用实验验证了 V_(BE)在一定范围内是随 I_C 的增大而线性地增大的,其平均变化率不超过0.038V/A。根据此方法设计的保护电路用于单个晶体管时,也能对过流起到安全保护的作用,并用实验得到证明。

关 键 词:功率晶体管  过流保护  采样方法

Realization of Overcurrent Protection with Power Transistors through Monitoring V_(BE)
Zhu Puan.Realization of Overcurrent Protection with Power Transistors through Monitoring V_(BE)[J].Journal of Civil Aviation University of China,1991(2).
Authors:Zhu Puan
Institution:Civil Aviation Institute of China
Abstract:It is a new approach to use monitoring V_(BE) parameter as a sampling signal for overcurrent protection with power transistors.Practical experiments show that V_(BE) increases linearly as I_c increases,within certain limits,and the average rate of change does not exceed 0.038V/A.Experiments have confirmed that protection circuit designde accordingly may se- cure safety when applied to a single power transistor.
Keywords:power transistor  overcurrent protection  sampling method
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