| 不同钝化工艺SiO2薄膜的辐射缺陷 |
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| 引用本文： | 盛行,马迎凯,杨剑群.不同钝化工艺SiO2薄膜的辐射缺陷[J].宇航材料工艺,2021,51(5):145-151. |
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| 作者姓名： | 盛行 马迎凯 杨剑群 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 401332,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨 150000,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨 150000 |
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| 摘 要： | 为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征，采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×1015 e/cm2、5×1015 e/cm2和1×1016e/cm2下对三种不同钝化工艺（I，700 nm SiN + 500 nm PSG;II，1.2 μm SiN;III，700 nm PSG + 500 nm SiN）的SiO2薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明I和III钝化工艺SiO2薄膜形成了非晶硅及双氧根离子，傅立叶红外光谱结果表明I钝化工艺SiO2薄膜形成缺陷结构未知的A1、A2、B1及B2缺陷；II钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1、及 缺陷；III钝化工艺SiO2薄膜形成A1、及B2缺陷。
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| 关 键 词： | 钝化工艺 SiO2薄膜 缺陷 电子辐照 |
| 收稿时间： | 2021/8/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/10/12 0:00:00 |
Radiation Defects of SiO2 Films With Different Passivation Processes |
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| SHENG Xing,MA Yingkai and YANG Jiangqun.Radiation Defects of SiO2 Films With Different Passivation Processes[J].Aerospace Materials & Technology,2021,51(5):145-151. |
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| Authors: | SHENG Xing MA Yingkai and YANG Jiangqun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Passivation process SiO2 film Defects Electron irradiation |
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