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| 排除碲镉汞晶体中碲夹杂降低其位错密度的工艺研究 | |
| 引用本文： | 胡世高.排除碲镉汞晶体中碲夹杂降低其位错密度的工艺研究[J].航天制造技术,1992(2):19-21,25. |
| 作者姓名： | 胡世高 |
| 作者单位： | 天津光电技术研究所 |
| 摘 要： | 概述了碲镉汞晶体中碲夹杂和高密度位错的成因,并以此为依据,阐述了排除碲夹杂和降低位错密度的工艺原理和方法。工艺途径分为两步,一步是根据微区域提纯原理,排除原生MCT晶锭中的大部分碲夹杂,第二步是根据大量Hg空位形成碲沉淀的模型和位错在高温下攀移的原理,进一步排除MCT晶片中残存的碲夹杂并降低位错密度。 |
| 关 键 词： | 碲 镉 汞 位错 工艺 工艺过程 淬火 退火 |
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