| MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析 |
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| 引用本文： | 于庆奎,张洪伟,孙毅,梅博,李晓亮,吕贺,王贺,李鹏伟,唐民,王哲力,文平.MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析[J].航天器环境工程,2019,36(5). |
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| 作者姓名： | 于庆奎 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民 王哲力 文平 |
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| 作者单位： | 中国空间技术研究院;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心:北京 100029;南京电子器件研究所,南京,210016;空间电子信息技术研究院,西安,710100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm~2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。
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| 关 键 词： | 氮化镓功率放大器 单粒子效应 重离子辐照试验 单粒子介质击穿 MOS电容器 |
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