|
|||||
|
|
| 抑制CMOS集成电路可控硅效应的措施 | |
| 引用本文： | 陈中彬,陈斌.抑制CMOS集成电路可控硅效应的措施[J].江南航天科技,1996(4):36-37,35. |
| 作者姓名： | 陈中彬 陈斌 |
| 摘 要： | ＣＭＯＳ集成电路以其功耗低、温度特性好、抗干扰能力强、成本低等优点在空间电子设备和军用电子产品中被广泛应用，特别适用于航天设备、人造地球卫星和核试验条件下工作的装置。但ＣＭＯＳ集成电路有一个致命的弱点，即可能产生锁定效应（也称作可控硅效应），它是ＣＭＯＳ集成电路所特有的失效模式。目前，国内外生产厂家都尚未找到抑制ＣＭＯＳ集成电路定效应的有效办法。因此，只有在电路设计时采取必要的措施以防止锁定效应的 |
| 关 键 词： | 地对空导弹 发射控制车 抗干扰 CMOS |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |