| TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究 |
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| 作者姓名： | 王治国 祖小涛 封向东 余华军 傅永庆 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,应用物理系,成都,610054
2. 四川大学,物理系,成都,610064
3. 南洋理工大学,新加坡,939798,新加坡 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.
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| 关 键 词： | TiNi基形状记忆合金薄膜 相变特征 示差扫描量热法(DSC) 基片曲率法 |
| 文章编号： | 1005-5053(2006)04-0061-04 |
| 修稿时间： | 2004-02-18 |
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