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同轴谐振器低气压放电击穿瞬态电学行为研究
作者姓名:彭玉彬  胥钧埕  曾鸣奇  周昊楠  赵小龙  贺永宁  王瑞  李韵  陈泽煜  崔万照
作者单位:1.西安交通大学电子与信息学部微电子学院 西安 710049;2.西安市微纳电子与系统集成重点实验室,西安 710049;中国空间技术研究院西安分院,西安 710000
基金项目:国家自然科学基金(编号:61901361)
摘    要:气体微波电离引起的低气压放电效应是限制微波部件功率容量的可靠性问题之一,而击穿瞬态电学行为的研究有助于诊断系统响应。目前大功率微波部件的击穿诊断与电路系统联系不够紧密,而探究放电所产生的等离子体对系统的影响能够改善这一现状。以TEM模式下谐振频率为2.6GHz的同轴谐振器为研究对象开展低气压放电实验,获得了100~1000Pa气压范围内谐振器的击穿功率阈值随气压的变化关系实验曲线,并通过正反向调零模块中功率计记录气体电离击穿前后的S11值。结合谐振器内部放电后的烧蚀痕迹将气体电离击穿后所产生的等离子体等效为圆柱型介质块,进行建模仿真获取放电发生后S11与谐振频率随气压变化的关系曲线,分析并发现局部阻抗的负载状态随着气压的升高是逐渐由容性向感性转变。最后基于测试系统的调零模块计算得到电离击穿前后谐振器局部阻抗的变化量与气压的实验关系曲线,验证了建模仿真结果。

关 键 词:低气压放电  同轴谐振器  功率阈值  等离子体建模  局部阻抗变化
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