| 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究 |
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| 引用本文： | 蔡莉,熊波,王应民,李禾.硅基ZnO薄膜组织形貌的研究[J].南昌航空工业学院学报,2007,21(3):75-79. |
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| 作者姓名： | 蔡莉 熊波 王应民 李禾 |
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| 作者单位： | 南昌航空大学，江西贝思特科技有限公司，南昌航空大学，南昌航空大学 江西南昌330063，江西南昌330029，江西南昌330063，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071，江西南昌330063 |
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| 基金项目： | 江西省材料科学与工程研究中心开放基金(ZX200401007)，南昌航空大学博士科研启动基金(EA200601184)，江西省教育厅科技项目(DB200501107)资助 |
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| 摘 要： | 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
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| 关 键 词： | Si(111) ZnO薄膜 ESEM EDX XRD |
| 文章编号： | 1001-4926（2007）03-0075-05 |
| 收稿时间： | 2007-05-20 |
| 修稿时间： | 2007年5月20日 |
Studies on morphology properties of ZnO thin films deposited on Si(111)substrate |
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| CAI Li,XIONG Bo,WANG Yin-min,LI He.Studies on morphology properties of ZnO thin films deposited on Si(111)substrate[J].Journal of Nanchang Institute of Aeronautical Technology(Natural Science Edition),2007,21(3):75-79. |
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| Authors: | CAI Li XIONG Bo WANG Yin-min LI He |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si(111) substrate ZnO thin film ESEM EDX XRD |
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