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TA3多层板及TA3+TC4真空扩散焊
引用本文:熊江涛,李京龙,杨思乾,张赋升,马彩霞.TA3多层板及TA3+TC4真空扩散焊[J].航天制造技术,2002(4):10-13.
作者姓名:熊江涛  李京龙  杨思乾  张赋升  马彩霞
作者单位:西北工业大学焊接研究所 (熊江涛,李京龙,杨思乾,张赋升),西北工业大学焊接研究所(马彩霞)
摘    要:介绍了TA3多层板及TA3+TC4真空扩散焊工艺,并进行了接头质量分析。结果表明,高的焊接温度造成了晶粒的长大。加压不均匀容易造成结合界面上孔洞收缩不彻底,而留有晶内微孔。TA3+TC4属于软硬结合,有利于界面孔洞的消失,但应注重焊前表面清理;以去除表面致密的氧化膜TiO2,避免接头氧化膜夹渣的产生。

关 键 词:真空扩散焊  钛合金  多层板
修稿时间:2002年4月27日

Vacuum Diffusion Welding of TA3 Multi-Layer Plate and TA3+TC4
Abstract:
Keywords:
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