| Flash存储中的纠错编码 |
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| 作者姓名： | 康旺 张有光 金令旭 王名邦 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191;北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191;北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191;北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB731803) |
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| 摘 要： | Flash闪存是一种非易失性的存储器件,随着工艺尺寸的不断减小,存储容量需求的不断增加,存储可靠性与寿命成为Flash生产与应用过程中最严重的两个挑战.基于多级 (MLC,Multilevel Cell) "与非(NAND)型" Flash的层级结构特征与读写操作特性,构造了一种基于正交映射的纠错编码方法,给出其编解码原理与结构,并分析其纠错能力.在此基础上,分析了该编码方法在Flash存储系统中的两种典型应用场景,即分布式多用户共享存储以及历史数据的无差错恢复.此外,Flash存储单元的可靠性受擦除次数的限制,其寿命相当有限,该编码方法可以有效地利用坏块来提高Flash的整体生命周期.分析结果表明:不改变整体结构,只需对编码模块进行简单调整,即可实现多种实际应用需求.
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| 关 键 词： | 闪存 纠错编码 正交映射 多用户共享 数据恢复 |
| 收稿时间： | 2011-09-20 |
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