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分类号
杂志ISSN号
AlGaAs/GaAs二维电子气(2DEG)迁移率研究
作者姓名:
李先皇 沈军
摘 要:
利用分子束外延,我们用不同的生长速率生长了不同X值的AlxGa1-XaS/GaAs异质结构,对这些不同的样品进行了室温及液氮温度Hall迁移的测试,并进行了分析讨论。
关 键 词:
AlGaAs 砷化镓 异质结 迁移率
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