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| SiB4 微粉在化学气相渗透SiC 过程中的变化 | |
| 作者姓名： | 童长青成来飞 曾庆丰刘永胜 张立同 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室,西安,710072;龙岩学院化学与材料学院,龙岩,364000 2. 西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室,西安,710072 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家杰出青年科学基金 |
| 摘 要： | 采用SEM、EDS、XRD分析了SiB4微粉化学气相渗透(CVI)SiC后的组成和结构,并用热力学计算研究了SiB4微粉在CVI SiC过程中变化的原因。结果表明:在CVI SiC过程中SiB4微粉不发生分解,但在近表层处氧化生成SiO2和B2O3。用SiB4浆料浸渍结合CVI工艺对C/SiC基体进行自愈合改性时,难以形成均匀致密的基体。 |
| 关 键 词： | SiB4微粉 化学气相渗透 氧化 |
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