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| 日照边缘区域电离层对耀斑的响应特点研究 | |
| 作者姓名： | 张东和 李强 覃健生 谢世标 赵迎新 叶锦凤 莫晓华 肖佐 |
| 作者单位： | 北京大学地球与空间科学学院,北京,100871;广西民族大学物理与电子工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市教委共建项目 |
| 摘 要： | 利用MSIS模型和背景太阳辐射谱模型,在一定大耀斑辐射谱假设的前提下,计算了耀斑期间日照边缘区域的电子产生率,分析了这一区域电离层电子密度的变化特点.结果表明,大耀斑期间在日照边缘区域,甚至大于太阳天顶角90°的区域都有明显的电子产生率的增加.从不同太阳天顶角处的电子产生率剖面的形态来看,随着天顶角的增加最大电离率减少,但高度增加.计算还显示了在太阳天顶角小于90°的区域内电子产生率的垂直分布有明显的双峰结构,这种结构对应着电离层的E区和F区,但在天顶角大于90°区域,F区的电子产生率要大得多.考虑到离子和电子的复合过程,这一区域的总电子含量的增加主要产生在高F区. |
| 关 键 词： | 耀斑 日照边缘区域 电离层 电子产生率 |
| 收稿时间： | 2005-10-19 |
| 修稿时间： | 2006-06-29 |
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