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低电阻率Si—C—O纤维制备
作者姓名:刘军%宋永才%冯春祥
作者单位:国防科技大学
摘    要:采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了Si-C-O纤维先驱体聚合物,并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时,生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征,又具有-CH=CH-共轭结构特征的-(SiCH3H-CH2)n(CH=CH)m-共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理,高温烧成制得低电阻率Si-C-O(电阻率小于10^0Ω.cm),而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为10^6Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si-C-O纤维。

关 键 词:碳化硅纤维 Si-C-O纤维 低电阻率
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