电离层H2O释放扰动效应的数值模拟研究 |
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引用本文: | 高泽, 方涵先, 汪四成. 电离层H2O释放扰动效应的数值模拟研究[J]. 空间科学学报, 2017, 37(1): 39-49. doi: 10.11728/cjss2017.01.039 |
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作者姓名: | 高泽 方涵先 汪四成 |
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作者单位: | 解放军理工大学气象海洋学院 南京 211101 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目资助(40505005) |
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摘 要: | 为充分研究化学物质在电离层释放的扰动效应和后期发展效果,基于化学物质在电离层的扩散模型、化学反应和电离层扩展F的控制模型,通过电离层H2O的释放,研究电子e,H2O,O+和H2O+共4种粒子的分布状态,分析点源、多源和线源释放对电离层的扰动效果,比较不同高度、不同量和不同时间释放的影响结果,模拟夜间释放后期所激发的扩展F发展差异.结果表明,H2O在电离层释放后,能有效耗散背景电子形成空洞,O+和H2O+数密度呈椭圆形分布;点源、多源和运动目标线源等不同释放方式对电离层的扰动效果不同,证实了人工影响一定形态和区域电离层的可能性;H2O释放扰动幅度,低层大于高层,白天强于夜晚,释放量越多扰动越突出;夜间化学释放能激发扩展F,并且释放量越多,激发效果越好.
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关 键 词: | 化学物质释放 电离层扰动 电离层洞 扩展F |
收稿时间: | 2016-03-01 |
修稿时间: | 2016-10-24 |
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