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电离层H2O释放扰动效应的数值模拟研究
引用本文:高泽, 方涵先, 汪四成. 电离层H2O释放扰动效应的数值模拟研究[J]. 空间科学学报, 2017, 37(1): 39-49. doi: 10.11728/cjss2017.01.039
作者姓名:高泽  方涵先  汪四成
作者单位:解放军理工大学气象海洋学院 南京 211101
基金项目:国家自然科学基金项目资助(40505005)
摘    要:为充分研究化学物质在电离层释放的扰动效应和后期发展效果,基于化学物质在电离层的扩散模型、化学反应和电离层扩展F的控制模型,通过电离层H2O的释放,研究电子e,H2O,O+和H2O+共4种粒子的分布状态,分析点源、多源和线源释放对电离层的扰动效果,比较不同高度、不同量和不同时间释放的影响结果,模拟夜间释放后期所激发的扩展F发展差异.结果表明,H2O在电离层释放后,能有效耗散背景电子形成空洞,O+和H2O+数密度呈椭圆形分布;点源、多源和运动目标线源等不同释放方式对电离层的扰动效果不同,证实了人工影响一定形态和区域电离层的可能性;H2O释放扰动幅度,低层大于高层,白天强于夜晚,释放量越多扰动越突出;夜间化学释放能激发扩展F,并且释放量越多,激发效果越好.

关 键 词:化学物质释放   电离层扰动   电离层洞   扩展F
收稿时间:2016-03-01
修稿时间:2016-10-24
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