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| Gd2SiO5纳米粉体的并流化学共沉淀法合成 | |
| 作者姓名： | 刘蓉 王雅雷 武囡囡 刘怀菲 刘如铁 程慧聪 |
| 作者单位： | 中南大学粉末冶金研究院;中南林业科技大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家科技重大专项(2017-VI-0020-0092);中南林业大学材料表面与界面科学与技术湖南省重点实验室(KFBJM2019005)。 |
| 摘 要： | 以Gd2O3和正硅酸乙酯(TEOS)为原材料,采用并流化学共沉淀法合成Gd2SiO5粉体材料。研究Gd2SiO5前驱体的热响应特征、Gd2SiO5粉体的物相组成和微观形貌,并对Gd2SiO5粉体的合成机理进行初步探讨。结果表明:前驱体的低Gd/Si摩尔比和反应体系的高pH值会导致Gd2SiO5粉体生成Gd9.33(SiO4)6O2杂质相,相反则会导致生成Gd2O3杂质相。当Gd/Si摩尔比为20∶11、pH值为9~10、合成温度为1000~1300℃时,合成的粉体纯度较高,Gd2SiO5颗粒呈不规则形貌特征,平均粒度为100~200 nm。Gd2SiO5合成过程中,前驱体以一种—[Si—O—Gd]—网络结构存在,在煅烧过程中逐渐转化为Gd2SiO5晶体以及Gd9.33(SiO4)6O2和Gd2O3杂相。 |
| 关 键 词： | Gd2SiO5粉体 并流共沉淀法 Gd/Si摩尔比 反应体系pH值 合成机理 |
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