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| 高压烧结TaC陶瓷的致密化机理研究 | |
| 作者姓名： | 顾俊峰 张帆 张金咏 王皓 王为民 傅正义 |
| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助(2020IVA096); |
| 摘 要： | 针对过渡金属碳化物陶瓷难以烧结致密化的问题,选取TaC陶瓷为对象,对比研究了不同烧结条件下晶界、缺陷等微观结构的形成特点以及动力学差异,探讨了高压烧结过程的特殊传质机理。研究表明,低温/高压的烧结条件有利于获得致密、细晶的结构;随着压力的增加,在烧结初期,致密化机制从晶格扩散/晶界滑移逐渐转变为晶界扩散/晶界滑移;在烧结末期,致密化的控制机制从晶格扩散逐渐转变为晶界扩散。 |
| 关 键 词： | 高压烧结 高熔点陶瓷 致密化机理 细晶陶瓷 |