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CMOS集成压控振荡器设计
引用本文:谢海情,曾健平,刘嘉晗,叶英.CMOS集成压控振荡器设计[J].宇航计测技术,2006,26(2):47-50.
作者姓名:谢海情  曾健平  刘嘉晗  叶英
作者单位:湖南大学,应用物理系,长沙,410082
摘    要:通过分析CMOS差分负阻振荡器的工作原理,得到电路结构和参数的优化方案。基于0.18μm工艺,采用片上电感和可变电容,设计了一种基于开关调谐电容结构的宽可调范围的分段线性互补型交叉耦合CMOS集成压控振荡器。在提高振荡器的可调范围的同时,降低相位噪声。电路采用HSPICE进行仿真,在1.8 V电源电压下,振荡频率的变化范围为1.55 GHz~2.86 GHz,可调范围约为60%。功耗为5 mW~10 mW,相位噪声在10 MHz频率偏移处为-110 dB/Hz。

关 键 词:压控振荡器  分段线性  交叉耦合  锁相环
文章编号:1000-7202(2006)02-0047-04
修稿时间:2005年10月14

Design of CMOS Integrated VCO
Xie Hai-qing,Zeng Jian-ping,Liu Jia-han,Ye Ying.Design of CMOS Integrated VCO[J].Journal of Astronautic Metrology and Measurement,2006,26(2):47-50.
Authors:Xie Hai-qing  Zeng Jian-ping  Liu Jia-han  Ye Ying
Abstract:
Keywords:VCO Piecewise linear Complementary cross-coupled PLL
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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