| InSb光学带隙的掺杂调控研究 |
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| 引用本文： | 张兴旺,吴金良,尹志岗.InSb光学带隙的掺杂调控研究[J].空间科学学报,2016(4):420-423. |
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| 作者姓名： | 张兴旺 吴金良 尹志岗 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 |
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| 基金项目： | 中国载人空间站工程项目(TGJZ800-2-RW024);中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA04020202-11,XDA04020411)共同资助 |
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| 摘 要： | 利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径.
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| 关 键 词： | 红外探测 带隙 布里奇曼法 掺杂 微重力 |
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