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MOCVI法制备SiO2/SiO2复合材料
引用本文:郑勇,张立同,陈照峰,成来飞,徐永东.MOCVI法制备SiO2/SiO2复合材料[J].航空制造技术,2007(1):92-95.
作者姓名:郑勇  张立同  陈照峰  成来飞  徐永东
作者单位:西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室
摘    要:依据金属基化学气相渗透法(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration,MOCVI)工艺理论基础,采用MOCVI法制备出SiO2/SiO2复合材料,并分析了载气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)复合材料显微结构的影响.结果表明,优化条件为:JH20的温度为60℃,载气流量为500mL/min,氧气流量为15mL/min,沉积温度为600℃.

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Processing of SiO2/SiO2 Composite by MOCVI Method
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Keywords:
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