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| 离子注入铜薄一的氧化行为 | |
| 引用本文： | 王晓震,王二敏.离子注入铜薄一的氧化行为[J].航空材料学报,1999,19(4):22-26. |
| 作者姓名： | 王晓震 王二敏 |
| 作者单位： | 北京航空材料研究院 |
| 摘 要： | 为克服铜易氧化造成薄膜电阻增加、机械性能下降的缺点，采用离子注入技术对铜薄膜表面进行改性研究。离子注入后进行了氧化试验，并结合Ｘ射线衍射和卢瑟福背散射进行了分析。结果表明，离子注入对原有薄膜的电阻影响是很小的；随注入剂量的增大，抗氧化能力提离；离子注入不但改善了铜薄膜的抗氧化能力，而且氧化行为及氧化层的结构也发生了变化，未经注入的铜薄膜形成的氧化铜以Ｃｕ２Ｏ为主，注入后氧化铜则为Ｃｕ２Ｏ和ＣｕＯ复 |
| 关 键 词： | 离子注入 氧化 铜 薄膜 |
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