| InxGa1-xAs材料在多结空间太阳电池中的应用进展 |
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| 作者姓名： | 张炜楠 涂洁磊 胡凯 李雷 孙晓宇 姜德鹏 沈静曼 |
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| 作者单位： | 云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明650500,云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明650500;云南师范大学 云南省农村能源工程重点实验室,云南 昆明650500,云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明650500,云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明650500,云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明650500,上海空间电源研究所,上海200245,上海空间电源研究所,上海200245 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61664010) |
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| 摘 要： | In_xGa_(1-x)As材料具有独特的物理特性,可以通过调节In和Ga的组分来改变材料的带隙宽度Eg。该材料自进入多结空间太阳电池领域以来,就受到了广泛的关注。因此,In_xGa_(1-x)As材料有望成为未来多结空间太阳电池领域中的重要研究对象。本文首先介绍了InGaAs材料的生长工艺及其在多结空间太阳电池领域中的应用情况和研究现状,同时讨论了材料的外延生长工艺以获得高质量含InGaAs材料的多结太阳电池。此外,介绍了近年来InGaAs材料在高效多结空间太阳电池领域的研究进展,并对其抗辐照性能进行了简述。大量研究表明:InGaAs材料的使用可以进一步提升多结空间太阳电池的光电转换效率,达到提升卫星有效载荷的目的。
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| 关 键 词： | InxGa1-xAs材料 多结空间太阳电池 外延生长工艺 抗辐照性能 |
| 收稿时间： | 2020-01-02 |
| 修稿时间： | 2020-03-09 |
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