一种新型低功耗SRAM读写辅助电路设计

针对低电压下静态随机存储器（SRAM）出现的读写性能损失的问题,设计了一种应用于低功耗SRAM的两步控制（DSC）的字线电压辅助电路技术,可以同时实现读和写辅助的功能,降低SRAM的最小工作电压从而降低功耗。写辅助通过字线开启前段的字线过驱（WLOD）实现,提高写数据速度和写阈值（WM）;读辅助通过字线开启后段的字线欠驱（WLUD）实现,降低静态噪声,提高稳定性。通过在28 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺下,对256 Kbit SRAM进行前仿和后仿仿真验证,结果表明相比于传统结构,应用DSC字线电压技术的SRAM的最小工作电压降低100 mV,写时间减小10%,静态功耗降低30%,版图面积增大4%。