纳米硅薄膜的氧化特性

将ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢,氧含量,Ｒａｍａｎ谱,红外吸收谱,光致发光（ＰＬ）,结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响,用晶粒－表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释。