| CCD器件辐射损伤参数测试方法 |
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| 引用本文： | 葛钊,陈佳杰,李豫东,吾勤之.CCD器件辐射损伤参数测试方法[J].上海航天,2015,32(2):64-68. |
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| 作者姓名： | 葛钊 陈佳杰 李豫东 吾勤之 |
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| 作者单位： | 上海航天技术研究院;中国科学院新疆理化技术研究所;上海航天基础技术研究所 |
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| 摘 要： | 为准确而高效实现CCD辐射损伤参数的定量测试与分析,根据现有的光电成像器件辐射效应测试系统,研究了CCD器件的辐射损伤参数测试方法,可测试暗信号、电荷转移效率、饱和输出电压、固定图像噪声、光响应非均匀性和光谱响应等参数。用此法获得了某CCD器件在60 Co-γ射线源辐照下的参数变化规律。结果表明:该测试方法利于CCD辐射损伤的分析,可为CCD的辐射效应研究和抗辐射性能评估提供试验数据。
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| 关 键 词： | 辐射效应 参数测试方法 光谱响应 |
Parameter Test Method for Radiation Damage of CCD |
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| GE Zhao;CHEN Jia-jie;LI Yu-dong;WU Qin-zhi.Parameter Test Method for Radiation Damage of CCD[J].Aerospace Shanghai,2015,32(2):64-68. |
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| Authors: | GE Zhao;CHEN Jia-jie;LI Yu-dong;WU Qin-zhi |
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| Institution: | GE Zhao;CHEN Jia-jie;LI Yu-dong;WU Qin-zhi;Shanghai Academy of Spaceflight Technology;The Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry;Shanghai Institute of Spaceflight Based Technology; |
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