| 球形收集极结构的二次电子产额测量装置及测量方法 |
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| 作者姓名： | 温凯乐 刘术林 闫保军 王玉漫 张斌婷 韦雯露 彭华兴 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室, 北京 100049;
2.中国科学院大学,北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（编号：11975017,11535014,11675278）;核探测与核电子学国家重点实验室项目（编号：SKLPDE-ZZ-02215） |
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| 摘 要： | 为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield, SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析。随后,测量了Cu材料和Al2O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明：不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al2O3);不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R2值为0.998 64(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10eV(Cu)和20eV(Al2O3)以下,符合相关理论预期。
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| 关 键 词： | 二次电子产额 球形收集极 能谱 表面电荷中和 |
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