非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻效应

本文对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻随磁场变化等电磁性能进行了实验研究。在室温条件下,测量了非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳电势差,得出了该薄膜的霍耳系数和相应的每个原子的有效传导电子数Z≈0.3。结果表明,非晶态Ni-S-i-B合金薄膜具有正常的霍耳效应,可用自由电子模型的观点进行(?)述,本文还对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的磁阻作了简要讨论。