(GaAl)As半导体激光器的——频率稳定度和控制特性

本文介绍了对连续波(GaAl)As二极管激光器中基本线宽扩展机理的研究。观察到线宽随输出功率的倒数的增加而增加,这可以用一种改进了的Schaw law Townes理论进行解释。还观察到一种与功率无关的线宽扩展现象,这可以解释为由于在所研究器件的很小的有效体积内,导电电子数统计起伏造成的折射率变化所致。这些器件的线宽范围会严重地限制半导体激光器在各种应用中,例如在频率标准、外差式通讯和光纤传感器中的实用性。把这些器件放在一个稳定的外部腔体中工作,已经使性能得到明显的改进。