用鉴相法实现频率捷变时间测量

介绍了频率捷变时间的基本概念，混频器、锁相环、鉴相器以及用鉴相法实现频率捷变时间测量的原理。     

Ka频段集成谐波混频器

介绍一种新颖的混合集成谐波混频器电路及设计方法。该混频器使用一只反向并联混频二极管对。介质材料采用RT—Duriod 5880.经测试，当射频频率为34.2～35.2GHz，中频频率为100MHz时，获得的变频损耗小于10.5dB，其中最好的为8.5dB。     

腔式毫米波混频器

介绍了一种腕式毫米波混频器的设计和研制结果。     

微波混频器测试技术研究

针对国内对微波器件筛选难的问题,进行微波混频器测试技术研究,描述了微波混频器的测试电路,给出微波混频器各参数的测试方法。目前,微波混频器已全面进入筛选测试阶段。     

分谐波混频技术在Ka频段直接调制器中的应用

文章分析了微波直接调制技术的实现方式,提出了一种采用分谐波混频技术实现Ka频段直接调制器的方案,并对分谐波混频模块进行了仿真调试,达到了预期的目的。     

基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器

基于SMIC 0. 18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种工作在0.6V超低电源电压下的混频器.该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构,并与开关级构成折叠结构,大大降低了电源电压;电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压,减小了MOS管的阈值电压,实现了超低电压超低功耗的设计;并采用电流复用技术,改善了电路的噪声性能,并提高了其转换增益和线性度.该混频器核心电路尺寸为460μm×400μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575MHz,1400MHz和175MHz时,仿真表明,该混频器转换增益(G_c)为6.1dB,双边带噪声系数为14dB,输入1dB压缩点为-16.67dBm,在0.6V的电源电压条件下,功耗仅为0.76mW,可用于航空航天领域的电子系统中.     

低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计

基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益( G_C )为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中.      

Ka波段高中频四次谐波混频器的实现

推导了反对接二级管混频原理与相差合成原理相结合实现四次谐波混频公式。结合公式提出了在Ka波段实现高中频四次谐波混频器的新的设计方案 ,进行了电路仿真并制作了混频器电路 ,通过仿真所得到的实验结果表明 ,公式推导正确设计思路切实可行     

基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器

文章介绍了一种基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器。雪崩击穿效应中的非线性特性能够引起高次谐波的频率变换效应。这种特性使雪崩二极管能够应用于毫米波及太赫兹频段的高次谐波混频。文章基于雪崩击穿效应中的非线性特性产生高次谐波的频率变换效应,提出将雪崩二极管应用于太赫兹频段的高次谐波混频,并从理论上分析高次谐波特性及其电路结构。16次谐波混频器获得了15dB的变频损耗,实验结果表明雪崩管高次谐波混频技术是一种极具应用价值的技术。     

雷达导引头混频器的频谱特性和相位噪声模型

分析了存在泄漏和杂波干扰条件下导引头混频器的频谱特性,导出其相位噪声模型。以数值实例给出了泄漏和杂波干扰的三阶交调产物与本振混频后所形成的中频杂波干扰区的扩展效应,以及相位噪声边带对目标信号的影响。