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1.
为了提高C/SiC复合材料耐高温性能,采用泥浆浸渍裂解与真空化学气相沉积(CVD)在材料表面制备了SiC/CVD SiC复合涂层,通过XRD、SEM分析了涂层组成与结构;研究了复合涂层的高温抗氧化(700~1 500℃)和抗热震性能。结果表明,泥浆浸渍法制备的SiC涂层具有一定的封孔效果,可使材料开孔率下降,但高温抗氧化效果并不佳,1 200℃氧化10 min后材料弯曲强度保留率下降明显仅有86%。CVD SiC涂层结构致密,与SiC封孔涂层结合较好,在700~1 500℃具有较好的抗氧化效果,随着氧化温度的升高,氧化后涂层完好,表面O元素逐渐增加,材料失重率缓慢增加但不大于0.5%,且材料性能并未下降。涂层材料在1 200℃-10 min短时热震5次后材料弯曲强度保留率仍有95%以上,且未出现开裂、剥落等热震损伤。在1 200℃-30 min长时热震10次后,涂层材料基本被完全氧化,材料失去保护作用,弯曲强度下降至90%左右。 相似文献
2.
以PAN预氧化纤维整体毡为增强体,经碳化、等温CVI致密化后制备多孔的C/C复合材料预制体,利用气体压力浸渗法将Cu引入C/C预制体中制备C/C-Cu复合材料。采用氢氧(H2-O2)焰考核C/C-Cu复合材料的烧蚀性能,经扫描电镜和电子能谱对不同烧蚀区域的微观结构和成分进行分析,结果表明:预制体密度为0.96 g/cm3的C/C-Cu复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为4.75μm/s、0.223 mg/s,烧蚀性能优良;其烧蚀表面具有不同的宏观形貌,在烧蚀中心区产生了明显的凹坑,主要烧蚀机制为C/C预制体的氧化和铜基体的机械冲刷;烧蚀过渡区聚集了大量的铜基体,其烧蚀机制为Cu的热氧化和机械冲刷;烧蚀边缘区材料表面变黑,主要因为C/C的氧化。为了提高C/C-Cu的烧蚀性能,需要发挥C/C预制体的"钉扎"作用,阻止Cu在高温下被气流冲刷而发生流动。 相似文献
3.
刘荣军%周新贵%张长瑞%周安郴 《宇航材料工艺》2000,30(3):45-48
采用包渗法制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2-SiC-Si防氧化涂层,研究了渗层同埋粉关系,包渗时间对包渗结果的影响,并对涂层防氧化性能进行了分析,结果表明:包渗法制得的涂层致密,无裂纹,涂层起到了良好的防氧化作用,1400度在空气中氧化1h后试样的质量保留率为94.1%,保留强度为294.0MPa。 相似文献
4.
综述了ZrB_2及其复合陶瓷的高温氧化行为,认为ZrB_2陶瓷是一种优异的高温结构材料,其氧化失效是由于氧化产物B_2O_3保护层挥发失效而导致的;二元陶瓷ZrB_2-SiC由于SiC的加入,高温抗氧化性能大大提高,并对其在不同温度下的氧化物结构进行了阐述。在此基础上提出了进一步提高ZrB_2-SiC陶瓷抗氧化性能和服役温度的方法,并以添加TaC和LaB_6形成三元复相陶瓷为例进行了说明。 相似文献
5.
为了提高石墨材料的抗氧化性,在石墨表面制备SiC/Si-MoSi2抗氧化涂层.首先采用液硅渗透在石墨材料表面制备SiC内涂层,然后采用料浆刷涂法制备Si-MoSi2外层.详细研究了SiC内层厚度对所制备的SiC/Si-MoSi2涂层抗氧化性能的影响.结果表明,SiC内层厚度对涂层的氧化防护能力有很大影响;在本实验条件下,当SiC内层厚度为240μm左右时,所制备的涂层在1 400℃的高温下对碳基体具有长时间的氧化防护性能.并从微观结构上分析和解释SiC内层厚度对所制备涂层的抗氧化性能的影响. 相似文献
6.
邹世钦%张长瑞%周新贵%曹英斌 《宇航材料工艺》2003,33(6):16-20
对碳纤维增强陶瓷材料抗氧化涂层的要求、组成与制备工艺以及最近抗氧化涂层体系的发展做了综述。并且对今后抗氧化涂层的发展作了一些展望。 相似文献
7.
李瑞珍%是旻%崔红%李贺军%郝志彪 《宇航材料工艺》2004,34(2):54-57
研究了采用化学气相反应法制备的SiC抗氧化涂层对3D整体编织C/C复合材料的密度、力学性能以及微观结构的影响。结果表明,3D C/C复合材料经抗氧化处理后,其密度、开孔率以及力学性能均有不同程度的提高。由SEM微观结构可以看出,其力学性能提高是由于气态Si渗入到材料基体内部,并与内部的C反应生成SiC,在一定程度上弥合了材料中的缺陷所致。 相似文献
8.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献
9.
张中伟%王俊山%许正辉%李承新 《宇航材料工艺》2005,35(2):42-46
提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力. 相似文献
10.
余惠琴%陈长乐%邹武%闫联生 《宇航材料工艺》2001,31(2):28-32
采用化学气相渗透(CVI)法和液相浸渍有机物先驱体混合工艺制备了C/C-SiC复合材料,并对复合材料力学性能、抗烧蚀性能和抗氧化性能进行表征。结果表明:制备的C/C-SiC复合材料在基本保证C/C复合材料力学性能的基础上,抗氧化和抗烧蚀性能得以大幅度提高,提出了制备兼具C/C复合材料与陶瓷材料的技术途径。 相似文献