Xilinx SRAM型FPGA抗辐射设计技术研究

针对Xilinx SRAM型FPGA在空间应用中的可行性，分析了Xilinx SRAM型FPGA的结构，以及空间辐射效应对这种结构FPGA的影响，指出SRAM型的FPGA随着工艺水平的提高、器件规模的增大和核电压的降低，抗总剂量效应不断提高，抵抗单粒子效应，尤其是单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的能力降低。分析了FPGA综合后常见的Half-latch在辐射环境中的影响并结合实际工程实践给出了解决上述问题的一些有用办法和注意事项，如，冗余设计、同步设计、算术逻辑运算结果校验、白检等。最后还提出一种基于COTS器件的“由顶到底”的星载信号处理平台结构，分析了这种结构在抵抗辐射效应时的优势。有关FPGA抗辐射的可靠性设计方法已经在某卫星通信载道中成功应用，并通过了各种卫星环境试验，该技术可以为有关航天电子设备设计提供参考。     

纤维体积含量对开孔层压板拉伸性能的影响

本文主要研究了碳纤维织物增强复合材料的纤维体积含量V_f对开孔层压板的抗拉强度σ、断裂伸长率ε的影响。采用T300碳纤维平纹织物为增强材料,经树脂传递模塑法(RTM工艺)复合而成T300/环氧TDE-85层压板,用岛津强力测试机进行拉伸性能测试。     

硝酸羟胺水溶液的制备及其含量分析

以复分解法制备硝酸羟胺(HAN)水溶液，用正交实验分析了反应温度、反应时间和减压蒸馏温度对反应产率的影响。确定的实验室最佳制备条件为：反应时间25min，反应温度60℃，减压蒸馏温度50℃。并比较了氧化还原滴定法与酸碱滴定法测定硝酸羟胺水溶液中硝酸羟胺含量的精度。     

浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究

给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.     

二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封，研制了试验电路板，在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试．结果表明，二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1—2个数量级，得到了预期的数据和结果．这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径．     

原状黄土和重塑黄土的湿陷性

在不同含水量下对原状黄土和重塑黄土进行了湿陷性试验，得到了原状黄土、重塑黄土随含水量的变化曲线分别为下凹型和上凸型；小压力下重塑黄土的湿陷系数大于原状黄土的湿陷系数。     

双模态冲压发动机高超进气道的实验研究

设计了侧压角为6°,后掠角45°,斜楔板压缩角分别为4°和8°的两套带隔离段的高超三维侧压式进气道,通过风洞实验研究了来流马赫数、出口反压、斜楔板压缩角以及隔离段等对进气道性能的影响.实验结果表明,在高来流马赫数及较小的斜楔板压缩角时,进气道的流量系数、总压恢复系数较高.总增压比在不同斜楔板压缩角时基本保持不变.     

碱金属引射对尾流化学动力学和电子密度的影响

用把碱金属（Na）加入到空气尾流中进行数值模拟的方法,研究了碱金属引射对高超声速尾流化学动力学和电子密度的影响。采用的化学反应模型为包括O2、N2、O、N、NO、NO＋、Na 、Na、O2-及e-的10组元模型。计算结果表明,碱金属引射,使尾流电子数密度增加1～3个量级。计算结果与文献中的数据符合较好。     

时效处理对T-250钢电子束焊接接头组织及性能的影响

采用金相显微镜、透射电镜观察了焊后不同时效状态下T— 2 5 0马氏体时效钢电子束焊缝的微观组织 ,测试了不同时效状态下焊接接头的室温强度、夏比缺口冲击韧性、显微硬度 ,并用扫描电镜分析了拉伸断口形貌。结果表明 :随时效温度的升高 ,焊缝区枝晶间逆转奥氏体析出量增加 ,焊缝缺口冲击韧性增大 ,断口韧窝增大 ;但由于 5 0 0℃× 4h时效处理后焊缝马氏体孪晶较多而使其拉伸强度和缺口冲击韧性降低。经 4 80℃× 4h时效处理后 ,焊接接头强度具有最佳强韧性配合     

高摩擦性能碳／碳复合材料的微观结构

使用激光拉曼探针和电子显微术对试样的断裂面和薄膜样品观察及电子衍射技术研究了两种抗摩擦性能相差悬殊的碳／碳复合材料的微观结构，发现两种材料的微观结构在石墨晶体的结晶结构完整性和取得性以及纤维和基体间的界面行为上有显著差异。