为了得到在低能条件下更为精确的Ar~+和Xe~+轰击SiO_2的溅射模型,对已有化合物溅射模型进行调研分析,总结了3种溅射模型,分别为Pencil模型、Bach模型和Seah模型,并对其不足之处加以分析。在Seah模型基础上,对溅射阈值采用新的计算方法,并利用等效原子法改进溅射参数和表面键能的计算方法,形成改进后的新模型。结合已有的关于Ar~+和Xe~+法向轰击SiO_2的实验数据,对4种模型的计算结果进行对比分析。对于Ar~+和Xe~+法向轰击SiO_2,改进后的溅射模型的均方根误差最小,拟合优度最高,均优于其他3种模型。说明在低能状态下,采用改进后的模型可以更为精确地计算Ar~+和Xe~+轰击SiO_2的溅射率。 相似文献
2.
1