Mg/Al合金粉末热压烧结中相变扩散过程研究

利用OLYMPUS GX71金相显微镜及EDS对Al-15％Mg热压烧结样品进行金相显微组织观察与成分分析,探讨烧结过程中组织演变过程。实验结果表明：热压烧结过程中两种粉体发生互扩散,首先在Mg颗粒边缘形成γ（Al12Mg17）相,而后随扩散的进行γ相转变为β（Al3Mg2）相,Mg颗粒由外向内不断的形成γ相,而后不断的转变为β相,直到全部生成β相。随温度的降低,β相会以极其细小的颗粒形式析出;利用真空热压烧结方法在420℃,150Mpa下保压3—4h进行固相烧结获得密度低于2．5g／cm^3致密度达98％以上的Al—15％Mg合金。     

直流电场对Al-4．5％Cu合金定向凝固组织的影响

对在不同电流密度的直流电场作用下Al-4.5%Cu合金定向凝固组织的变化进行了研究.结果表明,电流有促进Al-4.5%Cu合金定向凝固柱状枝晶生长的倾向.随着电流密度的增大,定向凝固的枝晶组织中二次枝晶明显细化,θ(CuAl2)相含量进一步增加.结合电流对凝固过程中固-液界面温度梯度和溶质再分配的影响,对实验结果进行了分析.     

电流对SnBi共晶合金熔体／Cu反应偶界面反应的影响

研究了250℃条件下电流对SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的界面反应的影响。实验结果表明未施加电流时SnBi共晶熔体／Cu反应偶界面反应产物为扇贝状的Cu6Sn5层和薄的Cu3Sn层。施加电流会促进SnBi共晶熔体／Cu反应偶界面反应层的生长。电流作用下SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的阳极界面反应层厚度明显厚于阴极界面反应层厚度。     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。