在高浓度气固双相流中测量粒子流的仪表

该文介绍的冲量仪特别适于在含有相当大的粒子(直径大于0.5mm)的固气双相流中测量粒子流的动量通量。仪表的核心是一个灵敏的压电传感器。但这种传感器不是像用于流化床中测量粒子流的加速度计型探头那样受到阻尼振荡。现在的冲量探头补充了光学枝术。习惯上,光学技术只限于在粒子尺寸小,平均粒子浓度低的场合中应用。文章介绍了仪表的设计、校准和初步的鉴定试验。并指出今后应研究的问题。     

The Interplanetary Internet: a communications infrastructure for Mars exploration

A strategy is being developed whereby the current set of internationally standardized space data communications protocols can be incrementally evolved so that a first version of an operational "Interplanetary Internet" is feasible by the end of the decade. This paper describes its architectural concepts, discusses the current set of standard space data communications capabilities that exist to support Mars exploration and reviews proposed new developments. We also speculate that these current capabilities can grow to support future scenarios where human intelligence is widely distributed across the Solar System and day-to-day communications dialog between planets is routine.     

费用-效果分析在空间运输决策支持系统中的应用

低成本空间运输对保证正常扩大利用空间以及维持所需的地面/空间基地后勤支援是非常重要的.介绍了如何建立空间运输决策支持系统.重点介绍如何在该系统中采用费用-效果分析技术和分析程序.其目的是要提供一种计算机化的决策支持系统,使用户能按费用、进度和技术参数等来组成和评审空间运输系统结构.这种系统和用户有很强的交互作用性,能允许用户针对相同的和在变化中的判据来评审/比较多种空间运输系统方案.     

溅镀C轴倾斜的压电膜和切变波谐振器

作者对溅镀的压电膜能否应用于甚高频至微波频率的声波器件进行了研究。本文介绍了切变波谐振器用的C轴倾斜的氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)膜的生长及特性。文中计算了某些膜的切变波激动的定向关系。这些膜在C轴取向与表面法线成大约45°时,可能激励出接近于纯的切变波。在其他角度,则只能激励准切变波和准纵向波。 C轴对膜法线倾斜方向合适的ZnO或AlN膜,是在配有辅助阳极的反应式直流面磁控管溅镀系统中生长的。这类膜可用扫描式电子显微镜(SEM)和体声波器件测量法进行鉴定。自Si基片法线倾斜的C轴晶粒柱形结构可在扫描式电子显微镜中清楚地看到。C轴倾斜角达45°,厚度达10微米的薄膜已经制做成功。在P~+Si基片上溅镀上ZnO和AlN可以制成复合谐振器。这类谐振器的Q值在200兆赫到500兆赫基频谐振范围内大约为5000。特别令人感兴趣的是可以对谐振频率进行温度补偿。在ZnO/Si和AlN/Si的复合结构上已制造出室温下串联谐振频率的绝对温度系数小于1×10~6/℃的谐振器。ZnO和AlN晶片谐振器的温度系数已测出为-36.2×10~-6/℃和-25×10~-6/℃。这表明P~+Si基片在切变膜时的温度系数大约是+9×10~6/℃、     

氮化铝薄膜及复合体波谐振器

为了在超高频范围内对基模振荡器进行控制和运用滤波器,开展了对于小型体波谐振器的基本材料和器件特性的研究。本文报道了氮化铝(ALN)在构成复合谐振器几何形状和边缘支撑型晶片结构方面的性能。 ALN薄膜是在直流平板磁控管溅镀装置中,用中间电极溅射出来的AL和等离子气体中的N_2之间的等离子体反应生成的。一般溅镀条件是:溅镀压力=1×10~(-3)毛,空气含氮量=99.999％基片温度=200℃,直流功率-225瓦,溅镀率=1.2微米/小时。ALN薄膜的品质用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射法和奥格(Auger)电子分光镜进行鉴定。检测结果说明,溅镀的ALN薄膜具有严格的晶向结构,其C轴垂直于Si(硅)基片表面。对于由1.7微米ALN薄膜和8微米Si基片组成的谐振器,测出的基频串联谐振频率为328.53兆赫,基频并联谐振频率为328.61兆赫。这种规格谐振器的Q值约有7500,它在-20℃至+120℃范围内的实测温度系数约为-4×10~(-8)/℃。对于具有1.7微米ALN薄膜和6微米Si基片的谐振器,实测的温度系数是-6×10~(-6)/℃。这种规格谐振器的Q值约为5000,它的基频串联谐振频率是524.11兆赫,而基频并联谐振频率是524.45兆赫。应用微电子半导体加工技术,已经制成了边缘支撑型ALN晶片。晶片厚度为1.0至7微米,面积约为300平方微米。这种晶片是边缘支撑型的,这与以前报道的底膜支撑型薄膜是不相同的。厚度为6.5微米的典型ALN晶片在790兆赫附近产生基模谐振,耦合系数为10.3％。在-20℃至120℃范围内测得的温度系数可达到-20.5×10~(-6)/℃。目前,已按外延特性制造出具有水平C轴的氧化锌ZnO晶片。这种晶片显示出切变波谐振特性,这意味着晶片有很高的谐振Q和比较简单的模式结构。     

旅客登机桥监控系统在机场的应用

随着科技的不断进步，计算机技术的高速发展为机场的业务自动化提供了强有力的技术手段，如地面信息系统、航班信息显示系统、离港等系统，为机场运行提供了必不可少的信息化手段，为旅客、航空公司和驻场单位提供全方位的周到服务。本文将要论述的“旅客登机桥监控系统”同样也已经成为机场生产保障系统重要组成之，一。[第一段]     

单晶铝纳米级硬度试验研究

使用纳米硬度计对单晶铝进行了纳米压痕试验，利用原子力显微镜对压痕形貌进行扫描并计算硬度值，重点观察和分析了纳米级条件下单晶铝的硬度性质，结果表明，当压痕深度小于2000nm时，单晶铝纳米硬度存在尺寸效应现象；从材料性质的角度分析了纳米硬度尺寸效应现象；探讨了纳米硬度和传统硬度本质上的区别，指出其根本原因在于不同尺度下人们对材料性质的关注点不同。     

绿色制造中的干切削技术

冷却润滑液的存储、使用以及废弃处理需要专门的物流系统,因而费用很高;冷却润滑液处理不当会对人的健康以及环境造成危害;工件经过湿加工后必须进行清洁处理,这都费时费力,同时增加了对系统的要求.基于上述原因,近年来干切削技术受到广泛关注.