排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
用粒径20~80nm的纳米银膏和粒径1~3μm的微米银膏进行了烧结连接镀银铜块的对比实验.借助热/力物理模拟试验机Gleeble 1500D对接头剪切强度进行了测定.用扫描电镜及能谱分析仪对接头的微观组织进行了观察和分析.结果表明:在相同的连接条件下纳米银膏烧结连接的剪切强度明显高于微米银膏烧结连接的剪切强度.接头断口和显微组织分析表明,在相同条件下,纳米银膏烧结接头组织的质密性好于微米银膏烧结接头的组织质密性.在微米银连接接头中,由于Cu块-烧结银层间的界面处存在裂纹,其剪切强度较低. 相似文献
2.
吴爱萍%邹贵生%张红军%王国庆%谢美蓉 《宇航材料工艺》2001,31(6):58-62
研究了Ti-24Al-17Nb合金的激光焊接及其接头的力学性能.研究结果表明,连续激光氦气双面保护可以获得保护效果可靠、无缺陷、成型良好的焊接接头.焊接热输入增大不利于接头的纵向弯曲塑性,而接头的横向拉伸强度与母材基本相同,塑性可以接近母材的塑性,达到14%~17%. 相似文献
3.
邹贵生 《南昌航空工业学院学报》1994,(1):71-76
本文通过10CrMo910钢大口径厚壁管道高温模拟试验证实,焊后热处理是一个短时超高温运行过程,它使10CrMo910钢管接头组织提前老化,显著降低了接头的持久寿命。试验结果表明,传统的焊后热处理工序应当取消。 相似文献
4.
利用数值分析和试验测量方法研究了不同板厚和不同形状Ti_2AlNb合金电子束焊接接头的焊接应力,分析了再热裂纹的产生特点和焊后热处理过程中的组织演变,讨论了再热裂纹产生的原因。结果表明,电子束焊缝中心部位承受3向拉应力,纵向残余拉伸应力最大,超过1100MPa;横向拉伸应力较小;板较薄时厚度方向残余拉伸应力也较小,但当焊接厚板时焊缝中心厚度方向的残余拉伸应力也很大,深窄焊缝中可达1000MPa。同样板厚条件下,环形焊缝与直线焊缝相比,周向拉伸应力略小于纵向应力,但径向拉伸应力远大于横向应力,尤其是环的直径较小时。再热裂纹的产生与再热过程中晶界析出物及较高的拉伸应力有关,在加热速度低于一定值,加热到700℃左右时,裂纹沿晶界析出层与基体之间的界面产生与扩展。 相似文献
5.
邹贵生%吴爱萍%任家烈%任维佳%李盛 《宇航材料工艺》2000,30(5):76-80
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明,TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固,为形成高强度的结合界面,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力,才能保证TLP在其存在期间充分铺展陶瓷,并在TLP完全凝固后形成大量扩散通道,为固态扩散反应提供必要条件。 相似文献
6.
Ti和Ti/Ni/Ti连接钨与铜及其合金的界面结合机制与接头强度 总被引:4,自引:0,他引:4
采用热 力学模拟试验机Gleeble1500D作加热设备,用Ti片和Ti箔 Ni片 Ti箔复合中间层扩散连接钨与铜及铜合金CuCrZr。结果表明,当用Ti片连接钨与铜,连接温度下Ti与Cu反应但未转化成液相时,则反应层由具有一定脆性的多层化合物组成,接头强度偏低;当Ti片通过共晶反应转化成液相且大部分液相被挤出连接区时,接头强度显著提高,最高达220MPa。用Ti Ni Ti复合中间层连接钨与CuCrZr时,结合界面是通过Ti分别与Ni、W及Cu相互扩散并反应生成多层化合物和固溶体而形成的;与Ti片连接钨与铜的接头形成相似,连接过程中Ti箔未转化成液相时接头强度偏低,Ti箔转化成液相时接头强度明显提高。 相似文献
7.
8.
邹贵生%杨俊%吴爱萍%巫世杰%顾兆旃 《宇航材料工艺》2002,32(6):1-5,13
为降低陶瓷与陶瓷或金属的连接温度,目前采用的连接方法有过渡液相扩散连接、兰固态连接、机械连接、粘接、铟封和陶瓷表面低温改性后低温钎焊等。本文从上述连接方法的原理设计、连接材料设计与制备、接头性能及各自的优缺点等方面综述了陶瓷与陶瓷或金属低温连接研究的现状。 相似文献
9.
Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷与接头质量控制 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3 N4 陶瓷。结果表明 ,Ni Ti过渡液相存在时间短 ,在此期间形成的界面结合强度低 ;必须进一步固态扩散反应才能形成高强度接头 ,相应的接头显微结构为 :Si3 N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +Ni3 Si/NiTi/Ni3 Ti/Ni。连接时间、连接温度、连接压力及Ti和Ni的厚度影响接头组织和强度 ,其最佳值为 6 0min ,10 5 0℃、2 .5MPa、2 0 μm和 40 0 μm ,所得接头室温和 80 0℃剪切强度分别为 142MPa和 6 1MPa。 相似文献
10.
Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si34陶瓷与接头质量控制 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si 相似文献