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1.
以某型卫星测试转台俯仰机构为研究对象,在ADAMS中建立了虚拟样机,得到了在翻转过程中丝杠轴向力曲线,并将仿真结果与理论计算结果及试验结果进行比较,验证了虚拟样机建模的合理性;研究结果为同类物理样机设计中滚珠丝杠的选用校核,台体框架的设计校核以及机电联合仿真提供有利数据支撑。  相似文献   
2.
最小Higgs模型(LH)预言了重规范玻色子BH的存在。为此计算了它对e e-→f(f=l,b,c)过程的贡献,研究了在未来的高能线性e e-对撞(ILC)实验中发现该粒子的可能性,该实验的质心能量S=500GeV,£int=340fb-1。结果表明在合理的参数空间内,完全可以探测到该新粒子的可能物理信号。  相似文献   
3.
采用Cu_(41.83)Ti_(30.21)Zr_(19.76)Ni_(8.19)(at.%)非晶钎料对Ti48Al2Cr2Nb合金与Zr B_2-Si C陶瓷进行真空钎焊连接,通过扫描电镜、能谱分析、X射线衍射以及万能试验机对接头的微观组织和力学性能进行研究。结果表明:Ti Al合金与Zr B_2-Si C陶瓷钎焊接头的界面结构为Ti Al/Ti_2Al/Al Cu Ti/(Ti,Zr)_2(Cu,Ni)+Ti B+Ti Cu/Ti_5Si_3/ZS。当钎焊温度为910℃,随着保温时间的延长,靠近Zr B_2-Si C一侧反应层宽度逐渐增大,接头中弥散分部的Ti B和Ti Cu聚集长大。接头剪切强度随着保温时间的延长先上升后降低,当钎焊温度为910℃,保温20 min时,接头剪切强度最大,为187 MPa,通过对各工艺的接头断口分析,发现接头均断裂在陶瓷侧,断裂方式为脆性断裂。  相似文献   
4.
王秒  王微  杨云龙  檀财旺  王刚 《航空学报》2022,43(4):482-491
采用CoFeNiCrCu高熵合金为钎料对SiC陶瓷进行了钎焊连接,研究了钎焊时间对接头微观组织和力学性能的影响。结果表明,SiC/CoFeNiCrCu/SiC接头的典型界面组织为:SiC/Cr23C6+Cu(s, s)+Si(s, s)/HEAF+Cu(s, s)/Cr23C6+Cu(s, s)+Si(s, s)/SiC。随着钎焊时间的增加,组织中相的种类没有发生变化,接头在高熵效应的作用下仍主要由固溶体组成,接头中反应层厚度逐渐增大。当钎焊时间为90 min时,反应层厚度达到最大为25μm。但过厚的反应层使得接头在冷却过程中产生的应力在反应层中集中并导致反应层中产生裂纹等缺陷。当钎焊温度为1 180℃,保温60 min时,接头剪切强度最高达到61 MPa。此时,裂纹从远离接头的SiC陶瓷开始萌生并向接头方向扩展,最终断裂在陶瓷与反应层的界面处。  相似文献   
5.
文摘采用Ag-28Cu钎料对碳纤维增强ZrB_2-SiC复合陶瓷与TC4合金真空钎焊。利用扫描电子显微:镜、能谱分析仪、力学万能试验机研究钎焊保温时间对钎焊接头界面微观结构与剪切强度的影响。结果表明:碳纤维增强ZrB_2-SiC/Ag-28Cu/TC4钎焊接头结合良好,典型接头相组成如下:TC4/TiC+TiCu/Ti_2Cu/TiCu/Cu_((s,s))/Ag_((s,s))/Ti_5Si_3/TiC/ZrB_2-SiC-C。不同的保温时间未改变钎焊接头的相组成,但对于接头界面微观形貌、焊·缝厚度及组成相的数量有影响。随钎焊保温时间增加,焊缝中心Ag(s,s)、Cu(s,s)区域逐渐减小,近TC4侧反应中Ti-Cu反应层厚度逐渐增加,其中保温30 min焊缝厚度最厚为70μm、焊缝中心区域厚度为45μm。室温平均剪切强度随保温时间增加,先增加后降低,在保温时间20 min时,剪切强度最大为34 MPa。  相似文献   
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