用有机硅树脂YR3370连接RBSiC陶瓷

 以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370(GE Toshiba Silicones)为连接剂，连接了反应烧结SiC(RBSiC)陶瓷。连接件在1 100~1 300℃的99.99%N₂气流中进行热处理。用三点弯曲强度实验测定连接件的强度，用场发射扫描电镜、X射线衍射和热重测试分析显微结构和化学反应。在连接温度为1 200 ℃时，连接件的三点弯曲强度达到最大值197 MPa。连接层是由有机硅树脂YR3370裂解生成的无定形Si_xO_yC_z陶瓷，其结构连续均匀致密，厚度在2~5 μm之间。连接机理是通过无定形Si_xO_yC_z陶瓷的无机粘接作用在RBSiC陶瓷基体和连接层之间形成连续的化学键。     

陶瓷／金属的连接工艺

在先进的制造业中,陶瓷／金属连接构成的复合件作为结构材料可以获得金属、陶瓷的性能互补,并降低复合材料制造成本。本文介绍了各种连接方法的机理及特点,并重点讨论了对未来先进发动机的高温结构复合材料部件制造有重要意义的陶瓷／金属钎焊及自蔓延高温合成（ＳＨＳ）焊接工艺。     

采用Ti/Ag/Ti中间层连接SiC陶瓷的有限元应力分析

在陶瓷与金属或陶瓷与陶瓷(采用金属中间层)的连接过程中,陶瓷与金属的热膨胀系数等性质存在差异而产生的残余热应力是连接接头强度弱化的主要原因.采用有限元方法对Ti/Ag/Ti作为中间层热压连接SiC陶瓷进行了应力的有限元计算分析,结果表明采用Ti/Ag/Ti结构的金属中间层连接SiC陶瓷时,对接头危害较大的残余应力主要分布在连接件近缝区.靠近试样外表面区域是接头的薄弱区,裂纹易在此处萌生,裂纹的扩展先是沿着一条向陶瓷侧凹入的弧线向陶瓷内切入,而后沿径向扩展.接头实际断裂方式与有限元分析结果相符,表明采用有限元方法对陶瓷连接接头的残余应力进行模拟计算有重要的指导意义.     

自蔓延高温合成技术在航空工业中的应用展望

介绍自蔓延高温合成技术的概念、特点、发展简史、类别和在航空工业中的应用;对我国此项技术的发展提出了建议。