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温度对甲基硅树脂基复合材料介电性能及力学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了不同温度下甲基硅树脂基复合材料拉伸强度及介电性能变化,利用IR和TG分别对甲基硅树脂的耐热性和高温下的化学结构变化进行了分析,通过SEM、EDS对复合材料烧蚀前后表面化学成分和结构进行了表征。结果表明,在室温~1 200℃,复合材料的介电常数(ε)和损耗角正切值(tanδ)随着温度升高都增加;随着温度升高,硅树脂热分解的程度增加,化学结构发生了变化,复合材料拉伸强度下降;随温度升高,硅树脂产生了影响介电性能的游离碳,从而影响了电磁波在复合材料中的传输。 相似文献
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界面改性对混杂基C/SiC复合材料性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过界面设计与实验研究,对C/SiC材料进行C/SiC/C多层涂层界面处理,实现了保护纤维和提高复合材料韧性及调节机械性能的多重目的.同时还研究了界面涂层前后纤维表面处理对复合材料性能的影响,结果表明,对增强体进行界面涂层处理和"酸处理",适当强化弱界面,起到了提高复合材料高温强度保留率和增韧的目的,酸处理+CVD-C/SiC/C界面涂层的C/SiC 复合材料的高温强度保留率达到90%;进行了C/SiC/C界面涂层的C/SiC 复合材料的断裂韧性高达20.72 MPa·m1/2,较未进行界面涂层的C/SiC 复合材料的断裂韧性提高了31.8%. 相似文献
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高硅氧/有机硅透波材料介电性能实验分析 总被引:4,自引:0,他引:4
对所研制的低残炭率甲基硅树脂基透波复合材料的介电性能进行了实验分析。结果表明,用甲基硅树脂作为基体的透波复合材料介电性能优良,在800℃和1 200℃高温处理后,采用电磁波频率9.30 GHz测试介电常数小于3.5,材料透波率高达90%以上;在700~1 200℃范围内介电常数随温度的升高变化不明显,温度每升高100℃,介电常数变化小于1%;在一定范围内,增加添加剂含量对透波材料的介电性能影响不大;采用浸渍有机硅树脂和表面涂覆有机涂层的防潮处理方法,可有效抑制材料介电性能的变化。 相似文献
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宋麦丽%邹武%王涛%闫联生 《宇航材料工艺》2001,31(1):24-28
通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明,反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响,温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面,温度在1100℃以上,沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面,还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同,这直接影响了SiC基体的性能,从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究,优化了CVI—SiC工艺。 相似文献
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反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明,当H2/MTS摩尔比在2-5之间时,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体;而H2/MTS摩尔比小于1时,沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明,甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大,随着甲基三氯硅烷的浓度减小,沉积深度增大,但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降,沉积周期延长,确保护内反应气体流动畅通,可提高沉积的均匀性和沉积速率。 相似文献
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碳纤维增强陶瓷基复合材料富碳界面 总被引:1,自引:0,他引:1
选用几种使纤维表面富碳的聚合物和无驱体制涂层纤维和陶瓷试件,测试其拉伸强度和弯曲强度, 相似文献
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