脉冲频率对7050高强铝合金微弧氧化膜层的影响

在脉冲频率为50、250、500、750、1 000 Hz的条件下，应用微弧氧化（MAO）技术在7050高强铝合金表面制备了陶瓷膜层，并采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、电化学工作站、摩擦磨损试验机等手段分别对陶瓷膜的表面形貌、相组成、耐腐蚀性、耐磨性等进行分析。结果表明，当脉冲频率过低时，MAO陶瓷膜层表面粗糙，影响膜层致密性；而当脉冲频率过高时，则不利于MAO陶瓷膜层生长，所得的膜层耐蚀性和耐磨性较差。当脉冲频率为250 Hz时，所制备的膜层具有最佳的耐磨性及耐蚀性。     

高强铝合金晶界偏析与氢致断裂机理的研究

提出了一个三元合金晶界偏析与沿晶断裂模型，并将该模型与准化学理论相结合，研究了高强铝合金Mg、H晶界偏析对沿晶断裂功的影响。结果表明，Mg、H偏析均使沿晶断裂功下降，且H比Mg脆化晶界严重。这与7075铝合金的应力腐蚀实验结果相一致。     

固溶、时效对７００３铝合金组织与性能的影响

通过显微硬度测试、力学性能测试、SEM观察以及EDS分析等手段对不同热处理制度下的7003合金的组织与性能进行了系统的研究.结果表明:时效前,随着固溶温度的提高,合金的显微硬度和强度不断降低,而塑性则不断提高;随着固溶时间的延长,强度和硬度先降低后增大,塑性则先降低后提高.经过120℃/50 h人工时效和60 d自然时效后,合金的力学性能明显高于时效前,且470℃/70 min固溶的综合力学性能最好(σ0.2=302 MPa,σb=363 MPa,δ=12.5%).7003合金的优化固溶处理制度是470℃/70 min.     

7050铝合金高强高韧低SCC敏感性时效工艺与机理研究

在单级时效制度下,对7050铝合金进行了长时间人工时效处理。研究了不同时效状态下合金的微观组织与常规力学性能,并测试了合金的SCR性能。结果表明:不同温度下长时间人工时效处理后,合金的强度随时效程度的增加均发生明显变化,经过传统峰时效后合金的强度先减小后增大,出现第二峰值,且第二峰强度高于第一峰;合金断裂韧度随时效程度的增加而提高,第二峰韧度高于第一峰;应力腐蚀敏感性随时效程度增加而降低,第二峰抗应力腐蚀性能优于第一峰。135℃下,合金的双峰位较为突出,双峰值较高。第一峰位,σ0.2,σb分别为580MPa,625MPa;第二峰位,σ0.2,σb分别为590MPa,640MPa。第二峰位断裂韧度较好,KIC为39.5MPa.m1/2,SCR性能得到很大改善,临界应力强度因子KISCC为12.72 MPa.m1/2。微观组织分析表明:合金双峰状态下晶内及晶界组织都存在极大差异,第一峰基体组织为高密度GP区,晶界为连续带状η'相,第二峰基体组织以η'相为主,晶界为断续离散的粗大η相。     

7175铝合金晶界偏析与阴极渗氢过程中的Mg—H相互作用

采用能谱，离子探针分析及阴极渗氢的方法，研究了不同时效状态下７１７５铝合金晶界固溶Ｍｇ偏析浓度与渗氢量的关系。发现渗氢量随Ｍｇ偏析浓度的增加而增加，表明在阴极渗氢过程中存在着Ｍｇ－Ｈ相互作用。     

高强铝合金晶界偏板与氢致断裂机理的研究

提出了一个三元合金晶界偏板与沿晶断裂模型，并将该模型与准化学理论相结合研究了高强铝合金Ｍｇ，Ｈ昌界偏析对沿晶断裂功的影响，结果表明，Ｍｇ，Ｈ偏析均使沿晶断裂功下降，且Ｈ比Ｍｇ脆化晶界严惩。     

超长时效对7075合金性能的影响

利用洛氏硬度计、电子拉伸试验机、冲击试验机、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）等设备对7075铝合金超长时间时效行为、力学性能、抗应力腐蚀性（SCR）及断口形貌进行了研究。结果表明,7075铝合金的硬度及强度都具有时效双峰特征。两个时效峰的硬度和强度相差不多,但对应第二峰时效的合金具有比较高的SCR性能。首次提出并运用“相变-Mg-H”复合理论解释了7075合金第二峰的高SCR性能现象。