首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   2篇
航空   3篇
航天   5篇
  2018年   1篇
  2010年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   1篇
  1997年   1篇
  1994年   1篇
  1990年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
本文介绍了一种求实系数高次代数方程全部根的新方法。提出一种求根精度的新标准。  相似文献   
2.
用X光衍射和透射电镜研究证实快速凝固Al88sCe2Ni7Fe3非晶铝合金晶化过程中的初期阶段为初生型晶化。初生相α-Al的结晶体积分数和纳米晶体尺寸随退火温度的升高表现出非同步增长行为:前者逐渐增加而后者变化不明显。不同退火态样品的小角X光散射结果表明,非晶基体中不断析出的纳米晶α-Al粒子,由开始的低温稀疏分布转向高温密集分布。根据实验结果,分析和讨论初生相α-Al的体积分数、晶粒数目、粒子尺寸及粒子分布在初生型晶化过程中的变化规律,为纳米晶α-Al粒子强化非晶基体提供了清晰的物理图像。  相似文献   
3.
蒲汲君  周其斗  孟庆昌 《推进技术》2018,39(7):1667-1672
无论船舵还是机翼,激振力的产生都会严重地影响其噪声性能和使用寿命,因此深入研究湍流中激振力是很有必要的。针对有限长水翼在湍流中的非定常激振力问题,分别建立流动系数不同的两向波谱函数描述三维湍流场,并推导了有限长水翼的响应函数。将计算结果分别与实验值进行对比,发现与实验结果吻合较好。在此基础上分别在不同情况下对薄片理论的适用性进行了研究,发现水翼展长比较大时,可忽略展向波数的影响;而湍流尺度只在无因次频率κ较小时对薄片假设产生的误差有影响。对水翼升力系数和下洗速度的自相关性进行了研究,深入探究薄片假设产生误差的原因。结果表明:当无因次频率较小(1时),湍流尺度越大,薄片理论的误差越小;当无因次频率较大时(5时),湍流尺度的大小不能影响薄片理论的误差。随着水翼展长b增大,薄片理论的误差减小,该参数对薄片理论的影响不受其他条件影响。升力系数的相关性比下洗速度更强,而薄片假设忽略了升力和下洗速度分量w展向方向相关性的差异,这是薄片假设在大多数情况下不适用的原因。  相似文献   
4.
频域计算的传统方法是先求出传递函数的分子多项式和分母多项式。本文提出了一种新算法,先求传递函数的零点和极点,计算过程中不出现多项式,此法称为零极点法.  相似文献   
5.
TiC和ZrC颗粒增强钨基复合材料的烧蚀研究   总被引:6,自引:3,他引:6  
用氧乙炔焰喷吹法对 Ti C和 Zr C增强钨基复合材料 ( Ti Cp/W和 Zr Cp/W两系列 )烧蚀性能进行了研究。结果表明 ,复合材料的质量烧蚀率和线烧蚀率由高到低的排列顺序为 :W>30 Ti Cp/W>4 0 Ti Cp/W>30 Zr Cp/W>4 0 Zr Cp/W( 30 Ti Cp/W表示含 Ti Cp 的体积分数为 30 % ,下同 )。对复合材料在烧蚀初期剧烈的升温过程进行了在线监测。 30 Ti Cp/W和 4 0 Ti Cp/W在烧蚀初期剧烈的升温过程中未能经受住约 2 0 0 0℃ /s升温热震而开裂 ,而 30 Zr Cp/W和 4 0 Zr Cp 能经受约 2 0 0 0℃ /s升温热震。在钨中加入 Ti C和 Zr C颗粒能明显提高钨的抗烧蚀性能 ,而且 Zr C颗粒比 Ti C颗粒更能提高 W的抗烧蚀性能。碳化物含量越高 ,材料的抗烧蚀性能越好。复合材料烧蚀机理是 W、Ti C和 Zr C的氧化烧蚀  相似文献   
6.
首先给出了一个不稳定的存在耦合的双输入双输出系统的例子。进而对此类双输入双输出系统在一般情况下的弹体传递函数阵进行了详细的推导和分析,通过解耦,得到了补偿系数和解耦后的弹体传递函数,从而找到了一个使这类系统稳定的补偿校正方法。将此方法应用于所给的例子,用得到的补偿系数和校正网络进行仿真,得到了满意的结果。  相似文献   
7.
本文介绍了在运载火箭姿态控制系统设计中进行系统动态过程计算的方法。计算时对系统的动态过程计算公式进行分析后,可采取五项措施,从而改变了以往的计算方法,简化了计算程序,保证了计算精度,使之得到满意的计算结果。通过大量实际计算,这些措施能使动态过程的计算得以实施,计算所需计算机机时为通常算法的十分之一。尤其是E-M积分法,方法简单,计算量小。  相似文献   
8.
成功制备出了以非晶态SiO2为基体,以纳米SiC颗粒(n-SiCp)为增强体的n-SiCp/SiO2陶瓷基复合材料。n-SiCp的引入并示引起基体SiO2的晶化,而且对复合材料的力学性能的改善起到了重要的作用,同时,并未损害复合材料的抗热震性能。所制备的n-SiCp/SiO2复合材料的临界抗热震温差可以达到1200℃。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号