硅基微加工工艺滤波器的研究进展

硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低损耗、小体积、低成本的明显优势，并且易于与集成电路集成，是解决毫米波滤波器芯片化的绝佳手段。文章首先给出了硅基微加工工艺滤波器的设计方法分类，然后着重介绍近年来国内外硅基微加工工艺滤波器的五种不同设计方法：集总式、薄膜腔体型、带线型、自屏蔽型以及基片集成波导型。通过介绍各方法的工作原理，重点分析了各方法的研究现状及优缺点，并进行了综合对比分析，从加工工艺难度和性能上来看，自屏蔽型以及基片集成波导型硅基微加工工艺滤波器具有更大的发展空间和应用前景。     

GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

新一轮信息技术发展背景下，砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注，文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能，推导晶体管的I-V特性方程，建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系，以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰，文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度，文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。