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1.
MRAM的辐射效应分析及加固方法简述
施辉
张海良
宋思德
曹利超
王印权
刘国柱
顾祥
吴建伟
洪根深
李明华
贺琪
《航天器环境工程》
2021,38(1):106-114
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致MRAM读写错误的物理机制;分析辐射效应对磁性隧道结结构和性能的影响,并指出MRAM应当针对外围电路、存储单元晶体管和磁性隧道结等处不同类型辐射效应进行对应的...
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