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本文建立了一种双极型集成运算放大器和MOS集成运算放大器的宏模型。模型对运放的线性及非线性特性考虑得较全面。由于宏模型的拓扑结构与实际运放的结构有一定的对应关系,故使用者无论是在理解、掌握、使用模型等方面都会感到很方便和容易。 模型可用SPICE程序来进行分析和验证,模拟验证结果表明,本文所建立的宏模型较以往的模型具有精度高、节省模拟时间等特点,与器件级模型相比较,宏模型在单个运放电路的模拟中所用时间约节省8倍。 相似文献
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