(001)SiO2衬底上LiNbO3光波导薄膜的制备

采用脉冲激光淀积技术，在（００１）取向的ＳｉＯ２衬底上制备了ＬｉＮｂＯ３薄膜。为了防止淀积过程缺氧，往淀积腔内充入１０～１５Ｐａ的流动氧气，淀积速度０．３～１．０ｎｍ／ｍｉｎ，淀积时间１ｈ，淀积结束后，充入０．６Ｐａ的氧气，在６５０℃保温０．５ｈ。采用ｘ射线衍射和扫描电镜对ＬｉＮｂＯ３薄膜的微观结构及表面形貌进行了检测。结果表明：ＬｉＮｂＯ３薄膜具有（０１２），（０２４）典型的ＬｉＮｂＯ３粉末晶体衍射峰，薄膜成分晶体结构比较纯净，而且薄膜表面光滑。利用棱镜耦合法将波长为０．６３８μｍ的激光束耦合到ＬｉＮｂＯ３薄膜中，观察到ＬｉＮｂＯ３薄膜具有较好的光波导性能，可望应用于非线性光学器件     

夹套容器平齐接管在温差作用下的疲劳分析

对气化炉夹套平齐接管处的温差应力进行了有限元分析计算,并对内筒温度的变化引起的疲劳问题进行了分析研究,按照分析设计标准JB4732-95进行了疲劳强度评定,得出的结论对类似设备的设计有参考价值。     

2004年12月13日IMF北向期间极区亚暴电离层电动力学特征

利用KRM地磁反演方法, 结合北半球中高纬度地磁台站数据, 研究了2004年12月13日行星际磁场北向期间发生的亚暴事件, 极区电离层电动力学参量(电流矢量、等效电流函数以及电势)的分布特征. 结果表明, 在该亚暴膨胀相起始后, 午夜之前西向电集流急剧增强, 且等效电流体系表现为夜侧双涡, 同时伴随夜侧增强的南向电场. 由于极弱的直接驱动过程, 卸载过程引起的电离层效应得到清楚显示. 卸载过程在膨胀相期间起绝对主导性作用. 同时, 夜侧电导率的增强是电集流区域电流急剧增强的主要原因.      

粘结剂喷射成形多孔Inconel 625合金的孔隙结构及力学性能研究

采用粘结剂喷射成形与粉末烧结技术相结合制备多孔Inconel 625合金制品,研究了烧结温度对多孔试样的孔隙率、气孔特征、微观结构、烧结颈和拉伸性能的影响。首先采用粘结剂喷射成形技术制备生坯,然后进行脱脂烧结得到多孔试样,通过光学显微镜、扫描电镜对金相和拉伸断口形貌进行表征,对气孔特征、微观结构和烧结行为进行分析,利用阿基米德排水法和拉伸试验分别对孔隙率和力学性能进行表征。试验结果表明,烧结温度由1150℃升高至1280℃,烧结制品的孔隙率由24.8%降低至8.63%,抗拉强度由316 MPa提高至515 MPa,在1250℃烧结时可获得最佳综合性能,孔隙率为17.16%,拉伸强度达到451 MPa。该方法为多孔材料的制备提供了新思路,并为粘结剂喷射成形Inconel 625多孔材料,烧结温度对孔隙结构和力学性能的影响规律提供了参考。     

地区投资的科技环境分析及其综合评价

作者对地区投资的科技环境进行探讨，设计了一套完整的地区投资科技环境综合评价指标体系，并提出了一种综合评价方法，以期为投资主体提供一种较为可行的科技环境的判断手段。     

含La铝硅共晶强制性非稳态生长

 试验考察了含La0.5％wt铝硅共晶强制性等加速等减速非稳态生长,纤维状共晶相半径R可以及时响应生长速度的变化,而片状共晶间距λ的响应则是迟钝的、波动的。试验分析了生长过程中初生α相偏转和共晶数量的变化。文中建立了非稳态生长理论模型,分析表明溶质扩散、共晶生长响应动力学和交互作用控制非稳态生长过程。     

变质铝硅共晶生长

 本文对锶变质铝硅共晶生长过程进行了讨论,变质铝硅共晶固液界面处,溶质扩散过冷和曲率过冷仅是固液界面总过冷的一小部分,界面总过冷受生长速度的影响十分显著。可以认为生长过程中共晶固液界面处于偏离平衡的某一定态,这一定态同生长速度和温度梯度密切相关。     

铝硅共晶柱状晶凝固

 将强制凝固的理论和试验结果应用到铝硅共晶铸锭柱晶凝固过程,得到了共晶片间距同凝固速度、形核过冷间的关系。柱晶凝固时共晶片间距同平均凝固速度因子V~(-2/3)成正比,还同凝固时形核过冷密切相关,形核过冷增加使共晶片间距减小。文中讨论了影响形核过冷的诸因素和凝固组织均匀性问题。