电子对抗用500kHz晶体滤波器的研制

介绍500kHz晶体滤波器在电子对抗设备中的应用和设计制作。该滤波器用于电子对抗OOK信号提载波电路中,用网络综合法设计,采用两节四晶体窄带差接桥式电路结构,达到的技术指标为:中心频率f_0=500kHz;3dB带宽B_3,一种为180～190Hz,一种为460～480Hz;带内波动Ar<0.5dB;阻带衰减As>50dB;矩形系数B_(40)/B_3=3.1～3.3;插入损耗A_0=3～4dB;输入阻抗R(in)=输出阻抗R_(out)=820Ω。     

30MHz窄带晶体滤波器的综合法设计及其温度特性、自然老化特性

本文介绍近几年来用综合法设计用于雷达、接收机、频率综合器及其它测试仪器的相对带宽为5×10~(-(?))～2×10~(-4)的30MHz 窄带晶体滤波器,给出了设计实例和测得的频率衰减特性、温度特性和三年自然老化特性的测试结果。对所测结果作了简要分析,得出窄带晶体滤波器中心频率在温度变化和自然老化中的变化规律,提出了在宽温度范围长期工作的窄带晶体滤波器的通带宽度要求,以及改善窄带晶体滤波器的温度特性和老化特性的措施。     

2MHz窄带晶体滤波器的研制

介绍中心频率2MHz,3dB带宽180～200Hz,通常波动小于0.5dB,阻带衰减大于70dB,矩形系数B_(60)/B_3<2,插入损耗小于3dB,输入、输出阻抗均为75Ω,体积为长81mm×宽31mm×高29mm的晶体滤波器的研制.该晶体滤波器的技术指标达到日本MWS-672型抖晃校准仪上用的同种晶体滤波器的技术指标.     

75MHz高衰减小矩形系数晶体滤波器的设计制作

介绍中心频率75MHz、6dB带宽9～10kHz,通带波动小于idB、阻带衰减大于65dB、矩形系数B40/B6<2、插入损耗小于6dB、输入输出阻抗均为50Ω、体积为42mm×20mm×18mm的晶体滤波器的设计制作。该晶体滤波器用综合法设计,采用三节六晶体窄带差接桥式带通晶体滤波器的电路结构,用比高频滤波器效果更好的电容分压的方法进行阻抗变换,不用常用的差接变量器进行阻抗变换。该晶体滤波器的技术指标优于用户提出的技术指标,接近北京无线电仪器二厂1986年引进的西德R/S公司生产的ESH3型电磁干扰测试接收机上所用同种晶体滤波器的技术指标。整机用后认为该滤波器性能良好,满足了整机的设计要求,样机于1989年12月通过设计定型鉴定。